DF80R12W2H3B11BOMA1
部品番号：
DF80R12W2H3B11BOMA1
製品分類：
IGBT モジュール
製造業者：
Infineon Technologies
説明：
IGBT MODULE
パッケージ：
Bulk
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ -
- パッケージ / ケース Module
- IGBTタイプ -
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 50 A
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ Yes
- パワー - 最大 190 W
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 1.7V @ 15V, 20A
- コンフィギュレーション Dual Boost Chopper
- 入力容量（Cies）@ Vce 2.35 nF @ 25 V