NXH200T120H3Q2F2STG
部品番号：
NXH200T120H3Q2F2STG
製品分類：
IGBT モジュール
製造業者：
onsemi
説明：
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- コンフィギュレーション Half Bridge
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ No
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 500 µA
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 330 A
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 200A
- サプライヤーデバイスパッケージ 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- パワー - 最大 679 W
- 入力容量（Cies）@ Vce 35.615 nF @ 25 V